耗尽型MOS管（Depletion-Mode MOSFET）是一种金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）类型，它的工作原理与增强型MOS管相反。耗尽型MOS管在零栅源电压时处于导通状态，而增强型MOS管在零栅源电压时处于截止状态。耗尽型MOS管的特点是，通过在栅极和源极之间施加负电压，可以减小或消除导电区域，从而使MOS管进入截止状态。

以下是耗尽型MOS管的一些特点和工作原理：

1. **零栅源电压下导通：** 耗尽型MOS管在零栅源电压下自然处于导通状态。这与增强型MOS管的工作原理相反，在增强型MOS管中，零栅源电压下会自然截止。

2. **栅源电压的影响：** 与增强型MOS管相似，正栅源电压（Vgs）可以控制耗尽型MOS管的通导程度。通过施加负栅源电压，可以减小耗尽型MOS管的导电区域，使其进入截止状态。

3. **应用和用途：** 耗尽型MOS管在某些特定应用中可能很有用。例如，在某些模拟电路中，耗尽型MOS管可以用作可调的电阻元件，通过改变栅源电压来调整电流通路。

4. **控制方式：** 耗尽型MOS管通常需要负栅源电压来控制，这与增强型MOS管需要正栅源电压来控制的情况相反。

需要注意的是，尽管耗尽型MOS管的工作原理与增强型MOS管相反，但它们仍然属于MOSFET的一种。在设计电路时，您需要根据具体的应用需求和电路特性来选择适当的MOSFET类型。