以下是常见场效应晶体管（FET）的一些重要参数。请注意，不同类型的FET（如MOSFET、JFET等）可能具有不同的参数，以下列表提供了一般性的参考。对于特定型号和应用，您应该查阅相应的数据手册以获取详细信息。

**MOSFET 参数：**

1. **Vds（漏极-源极最大额定电压）：** MOSFET能够承受的最大漏极-源极电压。

2. **Vgs（栅极-源极电压）：** MOSFET的栅极-源极电压范围，用于控制导通与截止。

3. **Id（最大额定电流）：** MOSFET能够通过的最大漏极电流。

4. **Rds(on)（导通状态漏源电阻）：** 在导通状态下，漏极-源极之间的电阻，越小越好。

5. **Qg（栅极电荷）：** 用于开关过程中充放电栅极的电荷，影响开关速度。

6. **Vth（阈值电压）：** 栅极-源极电压，使MOSFET开始导通。

7. **Ciss、Coss、Crss（输入、输出和反馈电容）：** 影响高频响应和开关速度。

**JFET 参数：**

1. **Vds（漏极-源极最大额定电压）：** JFET能够承受的最大漏极-源极电压。

2. **Vgs(off)（截止栅极-源极电压）：** JFET的截止栅极-源极电压，低于这个电压会导致截止状态。

3. **Idss（最大饱和漏源电流）：** JFET在最大漏源电压下的最大电流。

4. **Vp（栅极-源极偏置电压）：** JFET的阈值电压，它决定了JFET的导通状态。

5. **gm（跨导）：** JFET的跨导，表示输入信号变化时输出电流的变化。

6. **Cgd（栅-漏电容）：** 栅极和漏极之间的电容，影响高频特性。

请注意，具体的FET型号和应用可能需要考虑更多的参数和特性。在选择FET时，建议查阅相关数据手册以获取完整的信息，并确保所选的FET能够满足设计要求。