MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种主要用于电子电路中的半导体器件，其基本结构由以下主要组件构成：

1. 源极（Source）：源极是MOSFET的一个引脚，它是电流的来源或排出点。电流流从源极进入或流出MOSFET。

2. 漏极（Drain）：漏极是MOSFET的另一个引脚，它是电流流出或进入的地方，通常与负载连接。

3. 栅极（Gate）：栅极是MOSFET的控制引脚。通过在栅极上施加电压，可以控制MOSFET的导通和截止状态。栅极上的电场控制电流流经源极和漏极之间的半导体通道。

4. 绝缘层（通常是氧化层）：绝缘层位于栅极和半导体通道之间，通常由氧化层构成。这一层用于隔离栅极和通道，以确保栅极的电场可以控制通道的导电性。

5. 半导体通道：半导体通道位于源极和漏极之间，它的导电性可以通过栅极的电场来控制。N沟道MOSFET的通道通常是n型半导体，而P沟道MOSFET的通道通常是p型半导体。

MOSFET的工作原理涉及到栅极上的电场控制半导体通道的导电性。通过在栅极上施加适当的电压，可以改变通道的导电能力，从而控制电流从源极到漏极的流动。这使得MOSFET可以用作开关或放大器，具有高输入电阻、低功耗和快速响应等特点。

关于MOSFET的二级效应，主要涉及以下两个重要方面：

1. 体效应（Body Effect）：体效应是MOSFET中一种影响通道电阻和门极电压之间关系的效应。当栅极电压较低时，MOSFET通道中的电子-空穴对会产生额外的电荷，从而影响通道电阻。体效应通常在MOSFET的工作过程中需要考虑。

2. 子阱效应（Substrate Effect）：子阱效应是当MOSFET嵌入在具有不同掺杂水平的半导体基底中时出现的效应。这会影响MOSFET的电压-电流特性，尤其是在高温和高电压条件下。

这些二级效应需要在MOSFET的设计和分析中考虑，以确保其正常工作并满足特定应用的要求。