晶体管的"h参数"（也称为哈伯参数或混合参数）是一组用于描述晶体管的电性能和行为的参数。这些参数用于建立数学模型，以便更好地理解和分析晶体管的工作方式，特别是在线性区域。"h参数"通常与双极晶体管（BJT）相关，包括NPN和PNP类型的晶体管。

"h参数"是以下四个主要参数的缩写：

1. hfe（或β）： 这是当前放大因子，也称为β（beta），表示基极电流和集电极电流之间的比例。hfe衡量了晶体管的放大能力，即输入信号的变化如何影响输出信号的变化。

2. hie： 这是输入电阻，表示晶体管的输入端（即基极）的电阻。它反映了输入信号在基极处的电流和电压之间的关系。

3. hre： 这是反馈比例参数，表示从集电极到基极的反馈效应。它通常很小，但在高频应用中可能需要考虑。

4. hoe： 这是输出电导，表示从集电极到发射极的电导（倒数）。它反映了晶体管的漏电流对输出电流的影响。

这些"h参数"通常用于建立小信号模型，以便在线性区域内分析晶体管的行为。它们帮助工程师预测晶体管的放大能力、输入和输出阻抗、共模抑制比、频率响应等等，这对于电子电路设计和分析非常重要。

需要注意的是，虽然"h参数"是有用的工具，但它们在实际应用中可能会有一定的局限性，因为晶体管的行为在不同工作点和频率下可能会有很大的变化。因此，工程师通常会在更复杂的模型和仿真工具中使用更详细的参数来更准确地描述晶体管的行为。