巨磁电阻（Giant Magneto-Resistance，GMR）是一种新型的磁阻效应，其结构由两个磁性层夹着一个非磁性层组成。这种结构的组成特点决定了巨磁电阻具有非常优异的特性，使其成为许多电子设备中重要的元件之一。

巨磁电阻结构一般由两个薄层的磁性材料和一个居中的非磁性导体层组成。磁性材料可以是铁、镍或钴等，而非磁性层常使用铜或铝。在这种结构中，两个磁性层的磁矩方向可以平行（P）或反平行（AP）。当磁矩方向平行时，电阻较低，而当磁矩方向反平行时，电阻较高。这种磁矩方向的变化以及其对电阻的影响是巨磁电阻的基本工作原理。

巨磁电阻结构的优异性能使其在许多领域中被广泛应用。其中最重要的应用之一是在硬盘驱动器中的数据读取。硬盘驱动器中的读取头利用巨磁电阻效应来检测和解析存储介质上的磁场信息。当读取头经过存储介质上的数据时，磁场方向会改变，进而引起巨磁电阻的变化。通过测量电阻的变化，可以将其转化为数字信号，实现数据的读取和解码。

此外，在传感器领域，巨磁电阻也得到了广泛的应用。巨磁电阻传感器利用其极高的灵敏度和稳定性，可以精准地测量和检测微小磁场的变化。这使得它们可以应用于许多领域，如磁场测量、位置检测、电流传感等。例如，在医疗设备中，巨磁电阻传感器可以被用于监测心脏磁场，以提供有关心脏功能的重要信息。

此外，巨磁电阻还在磁存储器、车辆导航系统和磁性随机访问存储器等领域得到了广泛应用。它们的小尺寸、低功耗和高传感性能使得它们成为许多现代电子设备中不可或缺的组成部分。

总结起来，巨磁电阻结构的特点在于由两个磁性层夹着一个非磁性层组成，并且具有极高的灵敏度和稳定性。其应用广泛，包括硬盘驱动器中的数据读取、传感器技术、磁存储、车辆导航系统和磁性随机访问存储器等。随着科技的不断进步和需求的增加，巨磁电阻的应用前景将会更加广阔。