SRAM（静态随机存取存储器）是一种用于存储数据的半导体存储器类型，它采用静态存储单元，相对于动态随机存取存储器（DRAM），它不需要周期性地刷新存储的数据。SRAM的结构包括存储单元、控制电路和输入/输出电路。以下是SRAM的基本结构框架：

1. 存储单元： SRAM的基本单元是存储单元，每个存储单元通常存储一个比特的数据。一个SRAM芯片可以包含数百万个存储单元，取决于芯片的容量。

2. 存储单元结构： 每个存储单元由多个逻辑门（通常是MOSFETs）组成，形成一个触发器电路。这个电路可以维持两个互补的状态，表示存储的二进制数据。

3. 字线（Word Line）： 字线用于选择要读取或写入的存储单元。当字线被激活时，相关的存储单元的内容被读取或写入。

4. 位线（Bit Line）： 位线用于在读取或写入操作中传递数据。它与存储单元的状态相关联。

5. 存储单元之间的交叉点： 存储单元的字线和位线在交叉点相交，形成存储单元矩阵。这些交叉点是存储单元的位置。

6. 控制电路： 控制电路包括用于读取和写入操作的逻辑电路。这些电路负责选择要操作的存储单元，并将数据传递到或从存储单元中。

7. 输入/输出电路： 输入/输出电路用于与外部系统通信，将数据传输到SRAM中或从SRAM中读取数据。这包括输入/输出缓冲区、地址译码器等。

总体而言，SRAM的结构非常复杂，而具体的实现可能会因制造商和产品型号而异。然而，上述元素构成了SRAM的基本结构，这种存储器类型以其高速读写访问、不需要刷新和低功耗等特性而在许多应用中得到广泛使用。