pn结，即正负电荷结（P-N junction），是半导体器件中常见的结构之一。它由P型半导体和N型半导体的界面组成，其中P型半导体富含电子空穴，N型半导体富含自由电子。

pn结的主要特性可以归纳如下：

1. 空间电荷区域：在pn结界面处形成一个空间电荷区域，也称为耗尽区或势垒区。在这个区域内，P型半导体的正离子和N型半导体的负离子形成电势垒，阻碍电子和空穴的自由扩散。在正向偏置状态下，空间电荷区域变窄，而在反向偏置状态下变宽。

2. 接触电位差：由于P型半导体和N型半导体之间的禁带差异，形成了接触电位差。在正常情况下，其中P型半导体的化学电势略高于N型半导体。

3. 正向偏置：当外加电压方向与内部电场方向相同时，就形成了正向偏置。此时，电子从N型半导体向P型半导体扩散，而空穴则从P型半导体向N型半导体扩散。这样，电子和空穴在耗尽区域内重新组合，减小了耗尽区域的宽度，使电流得以通过。

4. 反向偏置：当外加电压方向与内部电场方向相反时，就形成了反向偏置。此时，电子从P型半导体向N型半导体扩散，空穴则从N型半导体向P型半导体扩散。由于电荷的重新组合相对较低，耗尽区域的宽度增加，从而极大地阻止了电流的流动。

5. 整流特性：由于pn结的非线性电阻特性，使其实现了整流功能。即只有在正向偏置时才允许电流通过，而在反向偏置时电流被阻断。这为创建各种电子器件如二极管和晶体管等提供了基础。

6. 光电特性：pn结的另一个重要特性是光电效应。当光线照射在pn结上时，光子的能量可以激发电子从价带跃迁到导带，形成光电流。这一特性在光电二极管和光电转换器等器件中得到应用。

总之，pn结作为一种重要的半导体结构，具有空间电荷区域、接触电位差、正向偏置、反向偏置、整流特性和光电特性等主要特点。这些特性不仅使得pn结成为电子器件中关键的构建单元，而且在现代电子技术和光电子技术领域中发挥着重要的作用。