内光电效应是指当物质内部的电子受到光的激发后发生的光电效应。内光电效应与外光电效应在一定程度上存在区别，下面将对两种效应进行详细介绍。

首先，内光电效应可以细分为两种：外在内光电效应和内在内光电效应。

外在内光电效应是指当光线照射到物质表面时，光子会与物质表面的原子或分子发生相互作用，导致表面电子被激发、离开原子或分子，从而形成电子电流的现象。这种效应最早由海森堡和泡利在20世纪初提出。外在内光电效应是光电效应的基础，它需要光的频率超过材料的光电离能，从而能够克服电子束缚能，使光子携带的能量足够大，使得电子能够逃逸出来。

而内在内光电效应是指当光线进入物质内部时，其能量足以使物质内部的电子直接被激发到导带中或其他能级中，形成内光电效应。内在内光电效应具有一定的特殊性，因为在这种情况下，光子不需要克服电子束缚能才能引起电子的逸出，而是直接利用光的能量将电子激发到更高的能级。这种内光电效应在一些特殊材料中表现得尤为明显，例如半导体材料中的间带吸收和深能级。

相较之下，外光电效应与内光电效应有一些明显的区别。首先，外光电效应是在物质表面发生的现象，而内光电效应是发生在物质内部的。其次，外光电效应需要光的能量足够高以克服电子束缚能，而内光电效应则是直接利用光的能量将电子从低能级激发到高能级。此外，外光电效应通常在金属或其他导电材料中较为常见，而内光电效应则在半导体和某些特殊材料中表现得更为明显。

总的来说，内光电效应和外光电效应是光电效应的两个重要分支，它们在实际应用和理论研究中具有一定的差异。了解和研究这两种效应的区别，可以帮助我们更好地理解光电效应的机制，为光电器件的设计和开发提供指导和依据。近年来，随着纳米技术和光电子学的快速发展，对内光电效应和外光电效应的研究引起了广泛的关注。相信随着科学技术的不断进步，光电效应在各个领域的应用将会得到更多的突破和创新。