早在过去的几年里，英特尔和格芯一直在竞相推出先进的芯片制造工艺。然而，目前英特尔的10纳米（nm）工艺和格芯的7纳米（nm）工艺成为了业界热议的焦点。这两种工艺之间存在一些明显的区别和优势。

首先，让我们来看看鳍片形状。英特尔的10nm工艺采用了传统的FinFET（鳍片晶体管）形状，而格芯的7nm工艺引入了全新的GAAFET（门极金属细极体）形状。FinFET相对较为成熟，而GAAFET则是一种更为先进的技术。GAAFET的优势在于能够实现更好的电流控制，提高晶体管的性能和功耗效率。

其次，我们需要了解功函数金属的差异。功函数金属对芯片的性能和稳定性起着重要的作用。英特尔的10nm工艺采用了硅酸盐基金属，而格芯的7nm工艺则采用了高效差异化金属。这意味着格芯的芯片在功耗方面具有更高的效率和稳定性，而英特尔的芯片则可能在一些特定应用中表现出更好的性能。

此外，尽管格芯的7nm工艺比英特尔的10nm工艺更为先进，但技术上的挑战也更大。7nm工艺的制造难度更高，需要更高级别的设备和工艺控制。因此，格芯需要克服更多的技术难题，才能成功推出7nm工艺的芯片。

总的来说，英特尔和格芯的10nm和7nm工艺在形状、功函数金属以及制造难度方面存在显著差异。虽然格芯的7nm工艺更为先进，但英特尔的10nm工艺仍然具有一定的优势。然而，随着技术的不断发展和竞争的加剧，未来将会有更多的变革和创新出现，为芯片制造工艺带来更多的选择和突破。