DDR SDRAM，全称为Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，是一种常用于计算机内存和图形卡的半导体存储器技术。DDR SDRAM的主要特点是其数据传输速度比传统的SDRAM更快，这是通过在每个时钟周期内进行两次数据传输来实现的。

DDR SDRAM与SDRAM之间有几个明显的区别。首先，DDR SDRAM可以在每个时钟周期内进行两次数据传输，而SDRAM只能在一个时钟周期内进行一次数据传输。这意味着DDR SDRAM的数据传输速度是SDRAM的两倍。其次，DDR SDRAM的内部结构经过了改进，使其具有更高的带宽和更低的延迟。这意味着DDR SDRAM能够更快地读取和写入数据，从而提高系统的整体性能。

另一个区别是DDR SDRAM与SDRAM在电压方面的差异。DDR SDRAM通常工作在2.5V的电压下，而SDRAM通常工作在3.3V的电压下。这个降低的电压使DDR SDRAM在功耗方面更加高效，相比之下，SDRAM的功耗较高。

此外，DDR SDRAM还引入了一些新的技术和功能，以提高其性能和可靠性。其中一个重要的技术是"预取"（prefetch）机制，它可以提前将需要的数据加载到临时缓冲区，以减少等待时间。此外，DDR SDRAM还引入了ECC（Error Correction Code）错误校正码功能，用于检测和纠正内存中的错误，提高系统的可靠性。

DDR SDRAM的发展经历了几个不同的版本，其中包括DDR2、DDR3和最新的DDR4。每个新版本都在前一个版本的基础上进行了改进，提高了带宽和性能。DDR4是目前最先进的DDR SDRAM技术，它提供了更高的带宽和更低的功耗，适用于高性能计算和服务器应用。

总的来说，DDR SDRAM是一种比传统的SDRAM更快和高效的内存技术。它通过在每个时钟周期内进行两次数据传输来提高性能，具有更高的带宽和更低的延迟。DDR SDRAM还引入了一些新的功能和技术，以提高系统的可靠性。随着技术的不断发展，DDR SDRAM将继续在计算机和图形应用中发挥重要作用。