当在电路中串联SiC-MOSFET时，有几个关键问题需要注意，以确保系统的正常运行和稳定性。

首先，需要确保每个SiC-MOSFET的参数匹配性。串联SiC-MOSFET时，由于制造过程的差异，每个器件的参数可能会有一定的偏差。因此，在选择SiC-MOSFET时，应尽量选择参数一致的器件，以避免因为参数不匹配而导致电流分布不均匀、功耗不均匀等问题。

其次，需要考虑SiC-MOSFET的热平衡。当多个SiC-MOSFET串联时，由于器件之间的热阻不尽相同，可能会出现热量分布不均匀的情况。为了避免某些SiC-MOSFET过热而导致系统失效，可以采取一些措施，如增加散热器数量、提高散热器的散热效率等。

此外，还需要考虑SiC-MOSFET的开关特性。当多个SiC-MOSFET串联时，由于存在一定的电流分配问题，可能会导致某些SiC-MOSFET的开关速度不一致，从而影响系统的稳定性和效率。因此，在设计电路时，应该考虑每个SiC-MOSFET的驱动电路是否能够确保其开关速度一致。

最后，还需要考虑SiC-MOSFET的电压分配。在串联SiC-MOSFET时，由于每个器件的电压承受能力有限，需要合理分配电压，以确保每个SiC-MOSFET在正常工作范围内。通常可以通过电阻分压等方法来实现电压分配。

总的来说，当串联SiC-MOSFET时，需要注意参数匹配、热平衡、开关特性和电压分配等问题，以确保系统的正常运行和稳定性。通过合理设计电路，可以充分发挥SiC-MOSFET的优势，提高系统的效率和性能。

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