场效应管(Field Effect Transistor，FET)是一种利用半导体的电场控制电流的电子器件，其中包括三种类型：结型场效应管(JFET)、金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)和绝缘栅双极型场效应管(IGBT)。其中，根据电荷载流载体的类型和特点，MOSFET又可分为N沟道场效应管和P沟道场效应管。

N沟道场效应管是一种控制N型半导体沟道上的电流的器件。它由源极、漏极和栅极三个电极组成。与P沟道场效应管相比，N沟道场效应管具有更高的导电性和更低的输入电阻。N沟道场效应管通常用于低噪声、高频率和高电阻负载应用。

N沟道场效应管的工作原理是通过施加栅极电压来控制漏极与源极之间的电导。当栅极施加正电压时，电子从源极流向漏极，形成电流。反之，当栅极施加负电压时，电子无法通过沟道，电流减小甚至断开。因此，通过改变栅极电压，可以控制漏极与源极之间的电流大小。

N沟道场效应管具有一些特点：低噪声、低功耗、高输入电阻、稳定性好、频率响应快等。这些特点使得N沟道场效应管在放大器、开关和模拟电路中得到广泛应用。

N沟道场效应管的结构通常分为金属栅极和多晶硅栅极两种类型。金属栅极的N沟道场效应管的栅极是金属材料，而多晶硅栅极的N沟道场效应管的栅极是多晶硅材料。两种结构各有优缺点，应根据具体应用场景选择合适的类型。

常见的N沟道场效应管型号包括2N7002、IRF620、IRF630、IRF9585等，不同的型号适用于不同的电路设计和应用需求，选择合适的型号可以提高电路性能和稳定性。

总的来说，N沟道场效应管作为一种重要的半导体器件，在现代电子电路中扮演着不可或缺的角色，了解它的工作原理、特性和结构对于电子工程师和电路设计师来说至关重要。