CMOS集成电路(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Integrated Circuit)是现代电子设备中最常见的集成电路类型之一，它具有低功耗、高稳定性和低成本等优点，在许多领域得到广泛应用。然而，在实际应用中，由于静电放电(ESD)等外部因素的影响，CMOS集成电路常常遭受损坏，影响设备的正常运行。因此，为了确保CMOS集成电路的稳定运行，需要在设计中考虑ESD保护结构。

ESD是指由于静电电荷在电路中释放而产生的短脉冲电压，当ESD电压超过CMOS器件的绝缘强度时，会导致器件击穿损坏。为了防止这种情况发生，设计师需要在CMOS集成电路中加入专门的ESD保护结构。

常见的ESD保护结构包括二极管保护结构、场效应晶体管保护结构和保护电阻等。二极管保护结构是将二极管连接到输入端，当输入信号超过器件的工作电压时，二极管会导通将过电压放到地电平，从而保护器件不受损坏。场效应晶体管保护结构则利用晶体管的高电压承受能力，将晶体管置于输入端，当输入信号超过一定电压时，晶体管会导通将多余电荷放到地电平，起到保护作用。保护电阻则是用来限制电流，避免器件的过电压情况。

在设计CMOS集成电路的ESD保护结构时，需要考虑器件所处的工作环境、工作电压范围、工作频率等因素，选择合适的保护结构，并进行严格的模拟仿真和实验验证，确保其可靠性和稳定性。此外，还需遵循ESD保护标准，如ISO 10605、IEC 61000-4-2等，以确保设计符合相关要求。

总的来说，CMOS集成电路的ESD保护结构设计是保障电路稳定运行的重要环节。合理选择和设计ESD保护结构，可以有效防止静电放电对电路的损坏，提高设备的可靠性和稳定性，确保设备在复杂工作环境下的正常运行。