IPB054N08N3 G（英飞凌） 基本参数信息，中文介绍
2024-03-21 09:15:26
晨欣小编
IPB054N08N3 G是英飞凌推出的一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），具有优秀的性能和可靠性，适用于各种功率电子设备的设计和生产。
该器件的主要参数如下：
- 额定电压：800V
- 最大漏极电流：54A
- 最大耗散功率：260W
- 开启电阻：0.08Ω
IPB054N08N3 G采用了先进的MOSFET技术，具有低导通电阻、高开关速度和优异的耐压能力。它能够有效降低系统的能量损耗，提高系统的效率和稳定性。
该器件广泛应用于电源逆变器、电机驱动器、电动车充电器等领域，能够帮助设计师实现高性能、高效率的电源系统。同时，IPB054N08N3 G还具有很强的抗干扰能力，能够在恶劣环境下稳定工作。
总的来说，IPB054N08N3 G是一款性能稳定、可靠性高的功率MOSFET，具有广泛的应用前景。英飞凌将继续致力于研发先进的功率器件，推动电子工业的发展与创新。
售前客服