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IPB054N08N3 G(英飞凌) 基本参数信息,中文介绍

 

2024-03-21 09:15:26

晨欣小编

IPB054N08N3 G是英飞凌推出的一款功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有优秀的性能和可靠性,适用于各种功率电子设备的设计和生产。

该器件的主要参数如下:
- 额定电压:800V
- 最大漏极电流:54A
- 最大耗散功率:260W
- 开启电阻:0.08Ω

IPB054N08N3 G采用了先进的MOSFET技术,具有低导通电阻、高开关速度和优异的耐压能力。它能够有效降低系统的能量损耗,提高系统的效率和稳定性。

该器件广泛应用于电源逆变器、电机驱动器、电动车充电器等领域,能够帮助设计师实现高性能、高效率的电源系统。同时,IPB054N08N3 G还具有很强的抗干扰能力,能够在恶劣环境下稳定工作。

总的来说,IPB054N08N3 G是一款性能稳定、可靠性高的功率MOSFET,具有广泛的应用前景。英飞凌将继续致力于研发先进的功率器件,推动电子工业的发展与创新。

 

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