IPD105N03LGATMA1（英飞凌） 基本参数信息，中文介绍
2024-03-21 09:15:26
晨欣小编
IPD105N03LGATMA1是一款由英飞凌公司生产的功率MOSFET器件。该器件是一款N沟道场效应晶体管，适用于高频和高电压的功率开关应用。IPD105N03LGATMA1具有出色的导通能力和低开关损耗，能够在电源管理和电动车辆领域发挥重要作用。
该器件的主要参数包括：
- 额定电压：30V
- 最大漏极电流：105A
- 阻抗：3mΩ
- 封装：TO-252-3（D-Pak）
IPD105N03LGATMA1具有优异的导通损耗和热特性，能够在高频率开关电路中实现高效能量转换。它还具有较低的导通电阻和开关时间，适用于要求高效率和高可靠性的应用。
作为英飞凌公司的产品，IPD105N03LGATMA1通过严格的质量控制和可靠性测试，确保了其稳定性和可靠性。该器件广泛用于工业控制、通信设备、电源管理和电动汽车等领域。
总的来说，IPD105N03LGATMA1是一款性能优异、可靠性高的功率MOSFET器件，适合于各种高频和高电压的功率开关应用。它的出色性能和稳定性，使其成为电子设备设计中的理想选择。
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