IS61WV1288EEBLL-10TLI（ISSI） 基本参数信息，中文介绍
2024-03-22 09:30:09
晨欣小编
IS61WV1288EEBLL-10TLI（ISSI）是一款高性能、低功耗的静态随机存储器（SRAM）芯片，适用于各种应用场景，如通信设备、工业控制、医疗设备等。该芯片采用10纳米技术制程，具有稳定可靠的性能。
IS61WV1288EEBLL-10TLI具有128Mb的存储容量，采用8位并行数据输入/输出。主要特点包括快速读写速度、低功耗和广泛的工作温度范围。该芯片在工作电压为1.8V至3.6V范围内正常工作。
此外，IS61WV1288EEBLL-10TLI支持多种操作模式，如随机读写、串行读写、自动休眠等。其封装形式为48引脚TSOP，方便用户进行集成和布局设计。
ISSI作为一家知名的半导体公司，为客户提供高性能、高质量的存储器解决方案。IS61WV1288EEBLL-10TLI作为该公司的产品之一，已经在市场上得到广泛应用，并受到客户的一致好评。
总的来说，IS61WV1288EEBLL-10TLI（ISSI）是一款性能卓越的SRAM芯片，适用于多种应用场景，为用户提供可靠的存储解决方案。产品详情和技术规格可在官方网站上获取更多信息。
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