MOS管半桥电路是一种常见的电路拓扑结构，常用于直流电机驱动器、逆变器、开关电源等领域。在设计MOS管半桥电路时，需要计算一些关键参数来保证电路性能稳定可靠。以下是关键参数计算方法：

1. MOS管的额定电流和电压：首先需要确定MOS管的额定工作电流和电压，一般根据电路中的最大负载电流和电压来选择合适的MOS管规格。在确定额定电流和电压后，可以根据MOS管的数据手册或者性能参数表找到对应的型号。

2. MOS管的导通损耗和开关损耗：在MOS管半桥电路中，MOS管的导通损耗和开关损耗是影响电路效率和稳定性的重要因素。导通损耗主要取决于MOS管的导通电阻和导通时间，可通过计算得到。开关损耗主要取决于MOS管的开关频率和开关时间，通常需要考虑电路工作频率和转换速度等因素。

3. MOS管的过温保护和过载保护：由于MOS管在工作过程中可能会受到过载或者过热的影响，因此需要设计相应的过温保护和过载保护电路。过温保护一般可以通过设置温度传感器和控制器实现，当MOS管温度超过一定阈值时，可以及时停止工作以保护MOS管不受损坏。过载保护一般可以通过设置电流限制器或者过载检测器实现，当MOS管受到过载时，可以及时停止工作以保护MOS管不受过载损坏。

4. MOS管的电流共享和电热耦合：在MOS管半桥电路中，由于MOS管需要共享电流负载，可能会出现电流不平衡或者电热耦合的情况。为了避免这种情况，需要设计合适的电流分配和散热方案。一般可以通过合理布局MOS管和散热器，提高散热效率，减少电流共享和电热耦合的影响。

总的来说，设计MOS管半桥电路需要综合考虑各种因素，包括MOS管的额定电流和电压、导通损耗和开关损耗、过温保护和过载保护、电流共享和电热耦合等。只有全面考虑并合理设计这些参数，才能保证电路性能稳定可靠。希望以上内容对您有所帮助。