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三极管的工艺特点

 

2023-02-14 11:11:41

晨欣小编

2023-02-14 11:11:38


发射区高掺杂:为了便于发射结发射电子,发射区半导体掺浓度高于基区的掺杂浓度,且发射结的面积较小;




基区尺度很薄:3~30μm,掺杂浓度低;




集电结面积大:集电区与发射区为同一性质的掺杂半导体,但集电区的掺杂浓度要低,面积要大,便于收集电子。




三极管不是两个PN结的间单拼凑,两个二极管是组成不了一个三极管的!




工艺结构在半导体产业相当重要,PN结不同材料成份、尺寸、排布、掺杂浓度和几何结构,能制成各样各样的元件,包括IC。


 

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