M29W400DB55N6E（美光） 基本参数信息，中文介绍
2024-03-29 09:43:36
晨欣小编
M29W400DB55N6E是一款由美光公司生产的闪存存储器芯片，具有高性能和稳定性的特点。该芯片采用NAND技术，内置容量为4Gb，总线宽度为16位，具有6ns的速度。
M29W400DB55N6E芯片采用了先进的半导体制造工艺，具有较高的存储密度和快速的数据读写速度。在数据存储方面，该芯片支持块擦除和页编程，可以实现高效的数据管理和存储操作。
该芯片工作电压范围广泛，从2.7V到3.6V，适用于多种电子设备的应用场景。同时，M29W400DB55N6E具有低功耗特性，可以有效延长电子设备的续航时间。
在数据安全方面，M29W400DB55N6E芯片支持硬件数据保护功能，可以有效防止数据丢失或被篡改。这为用户的数据安全提供了重要保障。
总的来说，M29W400DB55N6E是一款性能稳定、数据安全、功耗低的闪存存储器芯片，适用于各种电子设备的存储需求。美光公司在半导体行业的技术实力和产品质量赢得了广泛认可，M29W400DB55N6E是其产品线中的一款明星产品。
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