NXPSC06650D6J（WeEn 瑞能） 基本参数信息，中文介绍
2024-04-07 09:32:48
晨欣小编
NXPSC06650D6J是瑞能公司生产的一款功率半导体器件，是一款噪声系数低的MOSFET晶体管，主要用于高频放大器、功率放大器等领域。该器件具有以下基本参数信息：
1.型号：NXPSC06650D6J
2.封装：TO-220AB
3.极性：N沟道
4.漏极最大电流：60A
5.漏极-源极电压：650V
6.栅-源极电压：±30V
7.栅极输入电容：1810pF
8.漏极静态电阻：0.091 ohm
NXPSC06650D6J具有优良的性能特点，不仅在高频放大器中具有出色的放大效果，同时也在功率放大器中展现出了稳定的工作状态。其较低的噪声系数使其在音频放大器等领域拥有较好的表现，能够有效提升音质的清晰度和纯净度。
作为一款高性能的半导体器件，NXPSC06650D6J在电子领域得到了广泛的应用。它的稳定性和可靠性被广泛认可，不仅在民用领域中被广泛应用，同时也在专业领域中备受青睐。
总的来说，NXPSC06650D6J作为一款性能优异的MOSFET晶体管，具有一系列出色的特点，适用于多种应用场景，并且在市场上具有一定的竞争力。希望该器件能够不断优化和完善，为用户提供更好的产品体验。
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