SI5935DC-T1-GE3是Vishay威世公司生产的一款高性能功率MOSFET，具有优异的性能参数和稳定性。下面我们来了解一下它的基本参数信息。

首先，SI5935DC-T1-GE3的封装类型为8-SOIC，电源电压(Vds)为30V，持续漏极电流(Id)为80A。它采用了硅基管的材料，具有较低的导通电阻和较高的反向击穿电压。此外，它还具有低开启电压，适用于各种功率应用。

SI5935DC-T1-GE3的输入输出特性也非常优秀，具有快速的开关速度和低漏电流。其输入电阻较小，功率损耗较低，适合长时间稳定工作。同时，它还具有过热保护功能，可以有效防止因过载而损坏。

除此之外，SI5935DC-T1-GE3的温度范围广，可以在-55°C至150°C的环境下正常工作，适用于各种复杂的工作场合。同时，它还通过了RoHS认证，符合环保标准，为您提供了更加安心的使用体验。

总的来说，SI5935DC-T1-GE3是一款性能卓越的功率MOSFET，广泛应用于电源管理、功率逆变器、电动汽车等领域。无论是在高温高压下，还是在长时间高频率下，它都能够保持稳定的性能，是您理想的功率电子元器件选择。如果您有更多关于SI5935DC-T1-GE3的需求或者疑问，欢迎咨询Vishay威世公司的销售人员，我们将竭诚为您提供服务。