STB28N60M2（ST 意法半导体） 基本参数信息，中文介绍
2024-04-16 09:26:00
晨欣小编
STB28N60M2是ST意法半导体生产的一款功率MOSFET晶体管，具有稳定可靠的性能，广泛应用于电源管理系统中。下面是其基本参数信息及中文介绍：
1. 典型导通电阻值为0.075欧姆，这使得STB28N60M2能够在高功率输出时具有低的功耗。
2. 最大漏极电压为600伏，支持较高的工作电压范围，使其适用于各类功率管理应用。
3. 最大电流为28安，适合承受较大的电流负荷，可用于要求高功率输出的电路中。
4. 耐压能力强，适用于要求较高稳定性和可靠性的电源系统。
STB28N60M2 能够在各种环境下提供稳定的性能，其热阻值较低，有助于散热，保证晶体管长时间工作时的稳定性。
总的来说，STB28N60M2是一款高性能的功率MOSFET晶体管，具有低导通电阻、高耐压、高耐流等优点，适合用于各种功率管理系统中，能够有效提高系统的性能和稳定性。ST意法半导体一直致力于为客户提供优质的半导体产品，STB28N60M2就是其中的一例。
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