STGW40NC60W（ST 意法半导体） 基本参数信息，中文介绍
2024-04-16 09:26:00
晨欣小编
STGW40NC60W（ST 意法半导体）是一款N沟道深级场效应晶体管，具有低导通电阻和高电流承受能力。该器件被广泛应用于家电、电动工具、汽车电子系统等领域。
STGW40NC60W的主要技术参数包括：
- 最大漏极 - 源极电压：600V
- 最大漏极电流：40A
- 典型导通电阻：0.048Ω
- 阈值电压：2.5V
- 热阻：1.19℃/W
该晶体管采用N沟道MOSFET技术，通过改善硅表面质量，提高掺杂浓度和放射电场结构，实现了优异的导通性能。同时，STGW40NC60W还具有超低开关损耗和高温可靠性，在高负载工况下表现突出。
STGW40NC60W适用于需要高性能功率开关的场合，比如说在电动工具中用于电机驱动，或者在太阳能逆变器中用于直流-交流转换。其可靠性和稳定性使其成为许多领先行业中的首选元件。
总的来说，STGW40NC60W作为ST意法半导体的一款重要产品，具有优异的性能指标和广泛的应用领域，为客户提供了可靠的解决方案，助力各行业的发展。
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