N型硅片和P型硅片是两种常用的半导体材料，它们的主要区别在于掺杂元素的不同。

掺杂元素

N型硅片是在硅晶体中掺杂了五价元素（如磷、砷、锑等），使硅晶体的价电子数增加，从而形成自由电子。P型硅片是在硅晶体中掺杂了三价元素（如硼、镓、铟等），使硅晶体的价电子数减少，从而形成空穴。

导电性

N型硅片的导电载流子主要是自由电子，因此称为电子导电型半导体。P型硅片的导电载流子主要是空穴，因此称为空穴导电型半导体。

电荷符号

N型硅片的多数载流子为电子，少数载流子为空穴，因此其电荷符号为“N”。P型硅片的多数载流子为空穴，少数载流子为电子，因此其电荷符号为“P”。

应用

N型硅片和P型硅片都可用于制作各种电子器件，如二极管、三极管、场效应管、太阳能电池等。N型硅片常用于制作电子管的阴极和场效应管的沟道，P型硅片常用于制作电子管的阳极和场效应管的衬底。

以下表格总结了N型硅片和P型硅片的关键区别：

除了上述区别之外，N型硅片和P型硅片在物理性质、化学性质、光学性质等方面也存在一些差异。例如，N型硅片的电阻率通常比P型硅片低，N型硅片的载流子迁移率通常比P型硅片高。

在实际应用中，N型硅片和P型硅片通常会一起使用，以构成互补式金属氧化物半导体（CMOS）器件。CMOS器件具有功耗低、速度快、抗干扰能力强等优点，已成为现代电子设备中应用最广泛的半导体器件之一。