Transphorm的TP90H050WS是一款高性能GaN（氮化镓）功率半导体器件。它能够提供高效率、高功率密度和高可靠性的性能，适用于各种应用领域，如电源转换器、电动汽车充电器和工业电源系统等。

TP90H050WS具有以下基本参数信息：
- 最大漏极电压：900V
- 最大漏极电流：50A
- 典型导通电阻：90mΩ
- 典型开启电阻：20mΩ
- 工作温度范围：-55°C 到 175°C

这些参数使TP90H050WS成为一款性能优越的功率半导体器件，能够在高温、高压和高电流下稳定运行。它能够提高电源转换效率和功率密度，同时减少系统的体积和重量。

TP90H050WS采用了Transphorm独特的E-Mode GaN技术，具有优异的开关特性和导通损耗。其高速开关能力和低导通电阻使其在高频率下能够实现高效率的能量转换。

此外，TP90H050WS还具有较低的开启电阻和漏极电流，能够降低器件的功耗和热量产生，提高系统的可靠性和稳定性。

总的来说，TP90H050WS是一款高性能、高可靠性的GaN功率半导体器件，适用于各种高效能力应用。它为电源转换器和其他领域的电子系统提供了一种先进的解决方案，可以帮助用户提高系统性能，降低能源消耗，实现可持续发展。