在半导体行业中，英飞凌和德州仪器一直以其在领域内的技术实力和创新能力而闻名。然而，在射频领域，射频GaN-on-Si专利的大户并非英飞凌和德州仪器，而是另外三家公司。

射频GaN-on-Si技术是一种基于氮化镓在硅衬底上的射频封装技术。由于其在高频射频应用中具有优异的性能表现，因此备受关注。而在这一领域中，三家公司分别是XX公司、YY公司和ZZ公司。

XX公司在射频GaN-on-Si技术领域拥有大量的专利，涵盖了从材料、工艺到设备等多个方面。该公司通过不断的研发和创新，成功实现了射频GaN-on-Si技术在商业化生产中的应用，并取得了良好的市场反响。

与此同时，YY公司也是射频GaN-on-Si专利的重要持有者之一。该公司在射频领域有着多年的研发经验，凭借其强大的技术团队和先进的生产设备，不断推动射频GaN-on-Si技术的发展，为行业带来了许多创新成果。

另外，ZZ公司也是射频GaN-on-Si领域的知名企业之一，其专利技术涵盖了射频器件设计、制造和测试等多个方面。该公司在射频领域拥有着雄厚的技术实力和市场资源，为推动射频GaN-on-Si技术的发展做出了重要贡献。

总的来说，尽管英飞凌和德州仪器在半导体领域有着较高的知名度，但在射频GaN-on-Si技术领域，XX公司、YY公司和ZZ公司却是专利大户，为行业的发展注入了新的活力和动力。他们的持续创新和技术突破将进一步推动射频GaN-on-Si技术的应用和普及，为行业带来更多的机遇和挑战。