晶导微 (JINGDAO) TVS 二极管 SMCJ8.5A GDT SMC(DO-214AB) 单向参数资料解析

晶导微 (JINGDAO) TVS 二极管 SMCJ8.5A GDT SMC(DO-214AB) 是一款单向瞬态电压抑制二极管，采用 DO-214AB 封装，具有优异的瞬态电压抑制能力，能够有效保护电路免受瞬态过电压的损坏。本文将从以下几个方面详细解析该器件的参数资料：

一、概述

SMCJ8.5A GDT SMC(DO-214AB) 属于晶导微 (JINGDAO) 公司推出的 GDT 系列 TVS 二极管，其主要功能是为电子设备提供过电压保护，防止瞬态过电压对敏感电路造成损坏。该器件采用高压半导体材料，具有低钳位电压、快速响应时间、高能量吸收能力等特点，能够有效抑制各种瞬态过电压，例如雷击、静电放电 (ESD) 和电磁干扰 (EMI)。

二、参数说明

以下为 SMCJ8.5A GDT SMC(DO-214AB) 的主要参数说明：

* 工作电压 (VRWM)：8.5V，表示器件正常工作时的最大工作电压，超过该电压可能会导致器件损坏。

* 最大反向重复峰值电压 (VRRM)：10V，表示器件在重复工作条件下能够承受的最大反向电压。

* 最大反向工作电压 (VWM)：8.5V，表示器件在非重复工作条件下能够承受的最大反向电压。

* 最大钳位电压 (VCL)：13.3V，表示器件在承受过电压冲击时能够将电压钳位在该值以下。

* 最大脉冲电流 (IPP)：8.5kA，表示器件能够承受的最大瞬态电流脉冲。

* 最大能量吸收 (E)：11.6J，表示器件能够吸收的最大能量，超过该值可能会导致器件损坏。

* 反向漏电流 (IR)：50μA，表示器件在反向偏置电压下所产生的漏电流。

* 响应时间 (tr)：小于 1ns，表示器件对过电压冲击做出反应的响应时间，越短越好。

* 封装类型 (Package)：DO-214AB，表示器件的封装类型，这种封装具有较小的体积和较高的耐用性。

三、应用场景

SMCJ8.5A GDT SMC(DO-214AB) 适用于各种需要过电压保护的电子设备，例如：

* 通讯设备： 手机、路由器、交换机、基站等

* 工业设备： PLC、伺服电机、变频器等

* 汽车电子： 汽车音响、车载导航、车载充电器等

* 消费电子： 电视机、电脑、笔记本电脑等

* 医疗设备： 心电监护仪、血糖仪等

四、使用注意事项

* 安装方向： 该器件是单向器件，在电路板上的安装方向要与器件上的指示符号一致。

* 散热： 该器件具有较高的能量吸收能力，在使用过程中可能会发热，需要保证良好的散热条件。

* 过电流保护： 在电路中需要配置过电流保护装置，防止器件在发生过电压冲击时电流过大导致器件损坏。

* 电源隔离： 在电路中需要对电源进行隔离，防止过电压冲击从电源端传入电路。

* 电磁兼容性 (EMC)： 该器件的安装位置需要考虑电磁兼容性，避免其对周围电路产生干扰。

五、技术优势

* 高能量吸收能力： SMCJ8.5A GDT SMC(DO-214AB) 具有较高的能量吸收能力，能够有效抑制各种瞬态过电压。

* 低钳位电压： 该器件的钳位电压较低，能够有效保护敏感电路免受过电压冲击的损伤。

* 快速响应时间： 该器件的响应时间较快，能够及时有效地抑制过电压冲击。

* 小巧的封装尺寸： 该器件采用 DO-214AB 封装，具有较小的体积，便于安装和使用。

* 可靠性高： 该器件经过严格的测试和认证，具有良好的可靠性。

六、选型指南

选择合适的 TVS 二极管需要根据具体应用场景的要求来进行，主要考虑以下因素：

* 工作电压 (VRWM)：选择工作电压高于电路最大工作电压的 TVS 二极管。

* 最大反向重复峰值电压 (VRRM)：选择最大反向重复峰值电压高于电路最高电压的 TVS 二极管。

* 最大钳位电压 (VCL)：选择最大钳位电压低于电路能够承受的最大电压的 TVS 二极管。

* 最大脉冲电流 (IPP)：选择能够承受预期最大脉冲电流的 TVS 二极管。

* 最大能量吸收 (E)：选择能够吸收预期最大能量的 TVS 二极管。

* 封装类型 (Package)：根据电路板的尺寸和空间选择合适的封装类型。

七、总结

SMCJ8.5A GDT SMC(DO-214AB) 是一款高性能的 TVS 二极管，具有高能量吸收能力、低钳位电压、快速响应时间等特点，适用于各种需要过电压保护的电子设备。在选择和使用该器件时，需要根据具体应用场景的要求进行选择和安装，并注意相关使用注意事项，以确保电路的安全和稳定运行。