堆叠技术是指将多个芯片层叠在一起形成一个三维堆叠结构的封装技术。这种技术可以大幅提高芯片集成度，同时也可以在同等尺寸下提高性能和降低功耗。

堆叠技术可以在多个方面实现先进性。

1. 高集成度：堆叠技术把多个芯片层叠在一起，可以大大提高芯片的集成度。例如，将存储芯片和处理器芯片堆叠在一起，可以在同样的尺寸下实现更多的功能，从而提高设备的整体性能。

2. 低功耗：堆叠技术可以将多个芯片堆叠在一起，从而减少芯片之间的通讯距离，减少数据传输延迟和能耗。

3. 体积小：堆叠技术可以将多个芯片堆叠在一起，从而减少系统的总体积，使得设备更小巧、轻便，更加适合应用于移动设备等场景。

下面是堆叠技术的一些举例：

1. HBM(High Bandwidth Memory)：将高速存储器堆叠在逻辑芯片上，使得内存访问延迟大大降低，同时还可以提高内存带宽，从而提高显卡的性能。

2. TSV(Trough Silicon Via)：沟道型硅通孔是一种技术，可允许芯片直接连接在一起，同时传输能源和数据。这种技术可以使得芯片之间的通讯更加高效，从而提高性能和降低功耗。

3. 3D NAND：是一种将多个闪存层堆叠在一起以增加密度的技术，同时它提高了内存容量。例如，三星TLC SSD的固态硬盘制造使用3D NAND技术，使得它可以达到更大的存储量，同时还具有更好的性能和耐久性。

综上所述，堆叠技术在提高集成度，降低功耗，减小体积等方面都具有很大的优势，可以实现更高的性能和更快的速度，它正迅速成为芯片封装技术中的一项关键技术。