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成都光磁通讯科技有限公司发布了一份关于GD32F103RCT6的中文资料和数据手册。这份资料提供了GD32F103RCT6的详细细节、功能和性能参数等信息，能够帮助工程师更好地理解并利用GD32F103RCT6的优势。

GD32F103RCT6是一款基于ARM Cortex-M3架构的微控制器，采用了高性能的32位RISC内核，单片机闪存和副存储器的生命周期都高达 10 万次擦除 / 写入次数，支持128KB或256KB闪存容量和20KB SRAM容量。拥有3个通用定时器、2个高级定时器、3个基础定时器和一个高级数字控制定时器。同时，还有2路I²S接口、3路SPI接口、2路I²C接口、4个异步串行接口和12位ADC。

GD32F103RCT6的工作电压范围为2.6V至3.6V，通过DDR(寄存器直接写入 / 写出) 方式，从RAM区读取延迟为1个时钟周期。支持硬件扩展模块(HM)、分频器(PD)、独立看门狗(IWDG) 和窗口看门狗(WWDG) 等特殊功能模块，进行各种应用设计和创新，非常适合各种智能控制、自动控制系统、工业控制等研发应用。

与此同时，GD32F103RCT6还有一个独特的低功耗模式，这个模式被称为低功耗在行动(LPRUN)模式。在这个模式下，CPU核心及时钟系统停止运行，所有已启用功能模块仍在继续工作，因此相比传统的低功耗模式，LPRUN模式下的功耗更低，但是依然能够保持系统唤醒状态不偏移，是非常适合要求长时间待机的智能物联网设备、智能家居设备、家具、电子秤等的首选芯片。

此外，GD32F103RCT6还拥有非常强大的数据存储能力，其支持的闪存容量为128KB和256KB，可以方便地储存各种系统数据、配置数据、运行状态数据和历史数据等。同时，FLASH的可编程地址范围为0x08000000~0x0803FFFF，支持擦除和编程的单位大小最小为1KB。

综上所述，GD32F103RCT6作为一款高性价比、功能丰富、性能优异的ARM Cortex-M3微控制器，适用于多种自动控制系统、智能物联网设备等领域，具有操作性强、低功耗、高速处理等优点。成都光磁通讯科技有限公司提供的GD32F103RCT6的中文资料和数据手册详细介绍了其性能参数、功能特点和开发软件等信息，能够帮助开发者更好地利用这款芯片。