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IPB180N04S302ATMA1(英飞凌) 基本参数信息,中文介绍

 

2024-03-21 09:15:26

晨欣小编

IPB180N04S302ATMA1是一款由德国半导体公司英飞凌(Infineon)生产的 MOSFET 晶体管。这款晶体管具有优秀的性能表现,适用于各种不同的电气应用。

IPB180N04S302ATMA1的主要参数包括漏极-源极电压(VDS)为180V,漏极电流(ID)为180A,栅-源极电压(VGS)为±20V,静态工作点温度(Tj)为150°C,短路电流时间(tc)为10ms。这些参数使得IPB180N04S302ATMA1能够在高电压和高电流的条件下稳定工作,同时具有较高的安全性能。

IPB180N04S302ATMA1适用于各种领域的电子设备,例如电源管理系统、电机驱动、DC-DC 转换器和逆变器等。其高效率和可靠性使得它成为许多电气设计工程师的首选之一。

IPB180N04S302ATMA1的中文介绍可以简单概括为:高性能、高可靠性的 MOSFET 晶体管,适用于高压和高电流的电气应用领域,是工程师们设计电子设备时值得信赖的选择。

 

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