IPB180N04S302ATMA1（英飞凌） 基本参数信息，中文介绍
2024-03-21 09:15:26
晨欣小编
IPB180N04S302ATMA1是一款由德国半导体公司英飞凌（Infineon）生产的 MOSFET 晶体管。这款晶体管具有优秀的性能表现，适用于各种不同的电气应用。
IPB180N04S302ATMA1的主要参数包括漏极-源极电压（VDS）为180V，漏极电流（ID）为180A，栅-源极电压（VGS）为±20V，静态工作点温度（Tj）为150°C，短路电流时间（tc）为10ms。这些参数使得IPB180N04S302ATMA1能够在高电压和高电流的条件下稳定工作，同时具有较高的安全性能。
IPB180N04S302ATMA1适用于各种领域的电子设备，例如电源管理系统、电机驱动、DC-DC 转换器和逆变器等。其高效率和可靠性使得它成为许多电气设计工程师的首选之一。
IPB180N04S302ATMA1的中文介绍可以简单概括为：高性能、高可靠性的 MOSFET 晶体管，适用于高压和高电流的电气应用领域，是工程师们设计电子设备时值得信赖的选择。
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