MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）因开关速度快、驱动功耗低、效率高，被广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器、LED 驱动及消费电子产品中。但在实际工程中，选型不当和应用细节忽略，往往是 MOSFET 损坏的主要原因。

本文将从核心选型参数 → 应用场景匹配 → 常见故障模式 → 排查与预防方法四个维度，系统讲解 MOSFET 的实用选型与维护技巧。

一、MOSFET 基础分类快速回顾

1. 按沟道类型

• N 沟道 MOSFET

• 导通电阻低

• 性价比高

• 主流选择（90% 以上应用）

• P 沟道 MOSFET

• 驱动简单

• 多用于高边开关

• Rdson 较大，效率低

2. 按应用方向

• 开关型 MOSFET（SMPS、PWM）

• 线性型 MOSFET（线性稳压、电子负载）

• 功率 MOSFET（大电流、大功率）

二、MOSFET 核心选型参数详解（工程师必看）

1️⃣ 漏极-源极耐压 Vds（最容易选错）

定义：MOSFET 能承受的最大漏源电压
选型原则：

实际工作电压 × 1.5～2 倍

示例：

• 12V 系统 → 选择 ≥30V

• 24V 工业电源 → 选择 ≥60V

• 48V 通信 → 选择 ≥100V

⚠ 常见错误

• 只按“标称电压”选，忽略浪涌、电感反冲

• DC-DC 中未考虑尖峰电压

2️⃣ 导通电阻 Rds(on)

决定 MOSFET 发热与效率的关键参数

导通损耗公式：

P = I² × Rds(on)

选型技巧：

• 电流越大 → Rds(on) 越低

• 注意 测试条件下的 Rds(on)（Vgs=4.5V 还是 10V）

⚠ 易踩坑点

• 低压 MCU（3.3V）驱动，却选了 10V 驱动型 MOS

• 实际导通不充分 → 发热严重

3️⃣ 栅极阈值电压 Vgs(th)（最容易被误解）

注意：Vgs(th) ≠ 导通电压

• Vgs(th)：刚刚开始导通（μA 级电流）

• 真正导通：需 Vgs ≥ 2～3 × Vgs(th)

正确做法：

• 3.3V 系统 → 选择 Logic Level MOSFET

• 查看 Rds(on)@Vgs=2.5V / 4.5V

4️⃣ 连续漏极电流 Id

关键提醒：

Datasheet 中的 Id：

• 通常在 25℃、理想散热 条件下测得

• 实际应用要 至少打 50% 折扣

工程建议：

实际工作电流 ≤ 0.5 × 额定 Id

5️⃣ 功耗与热阻（决定是否“莫名其妙烧管”）

关键参数：

• Pd（最大耗散功率）

• RθJA / RθJC（热阻）

经验公式：

Tj = Ta + P × RθJA

若：

• 环境 50℃

• MOS 损耗 2W

• RθJA = 50℃/W