MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的半导体器件，广泛应用于电子设备中的开关、调节、放大等功能。在使用过程中，MOSFET的击穿是一种常见的问题，它会导致器件失效，因此需要认真对待。

关于MOSFET的击穿，一般有以下几种情况：1、氧化层击穿；2、反向击穿；3、导体击穿。氧化层击穿是因为介质被电压穿透，形成介电击穿。这种情况下，MOSFET被击穿时，电流很快就超过了极限，引起器件的损坏。反向击穿是指在器件反向电压下，电场强度超过材料耐久电场强度，导致电荷穿透，发生击穿现象。而导体击穿是因为电荷在导体中自由流动，呈现出导体电击。

对于MOSFET的击穿问题，可以采取以下措施：1、避免超过电压极限，定期检查电路，确保电压不超过MOSFET的额定值。2、使用恰当的散热解决方案，确保器件不会受到过度的热损伤。3、在设计和选型时选择适当的器件，确保它们能够满足所需的应用要求。

除了击穿问题，MOSFET还有另一个常见的问题，那就是小电流发热。在设计和制造MOSFET时，需要考虑电流密度和材料的热导率等因素，以防止发生热损伤。对于MOS管小电流发热问题，可以采取以下措施：1、优化器件结构，增加散热面积，增强散热效果。2、选用低电阻材料，在相同的电流下减少能量损失，降低发热。3、注意使用条件，避免器件工作在过高的温度环境中，否则会导致MOSFET失效，缩短服务寿命。

综上所述，MOSFET的击穿和小电流发热是需要认真对待的问题。针对这些问题，可以通过适当的措施来加以解决，避免损失和不必要的花费。在使用MOSFET时，应该时刻关注它的性能，确保它的正常工作。