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IGBT的终端耐压结构—平面结和柱面结的耐压差异

 

2023-12-01 16:05:13

晨欣小编

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种功率半导体器件,其终端耐压结构通常分为平面结和柱面结。这两种结构在绝缘层的形状和配置上有所不同,从而影响了器件的终端耐压性能。

1. 平面结(Planar Structure):

  • 特点:

    • 平面结的绝缘层和结构较为平坦。

    • 通常采用背面绝缘技术,即绝缘层直接涂覆在芯片背面。

    • 终端耐压主要依赖于背面绝缘层的性能。

  • 优势:

    • 制造工艺相对简单,适合大规模生产。

    • 成本较低。

  • 劣势:

    • 终端耐压相对较低。

    • 高电压应用时可能需要额外的绝缘处理。

2. 柱面结(Trench Structure):

  • 特点:

    • 柱面结的绝缘层通过柱状凹槽(trench)的方式进行布局,形成柱状的绝缘结构。

    • 终端耐压性能主要依赖于柱面结的设计和制造。

  • 优势:

    • 提供更高的终端耐压性能。

    • 适用于高电压应用。

  • 劣势:

    • 制造工艺较为复杂,相对成本较高。

    • 制程要求严格,可能不适合大规模生产。

3. 终端耐压差异:

  • 平面结的终端耐压相对较低,适用于低电压应用和成本敏感型产品。

  • 柱面结提供更高的终端耐压,适用于高电压和高性能应用,但可能伴随较高的制造成本。

在选择合适的IGBT时,设计者需要综合考虑电路的工作电压、功率要求以及成本等因素。对于高电压和高性能应用,通常会选择柱面结的IGBT,而对于低电压和成本敏感型应用,平面结的IGBT可能更为合适。


 

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