
IGBT的终端耐压结构—平面结和柱面结的耐压差异
2023-12-01 16:05:13
晨欣小编
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种功率半导体器件,其终端耐压结构通常分为平面结和柱面结。这两种结构在绝缘层的形状和配置上有所不同,从而影响了器件的终端耐压性能。
1. 平面结(Planar Structure):
特点:
平面结的绝缘层和结构较为平坦。
通常采用背面绝缘技术,即绝缘层直接涂覆在芯片背面。
终端耐压主要依赖于背面绝缘层的性能。
优势:
制造工艺相对简单,适合大规模生产。
成本较低。
劣势:
终端耐压相对较低。
高电压应用时可能需要额外的绝缘处理。
2. 柱面结(Trench Structure):
特点:
柱面结的绝缘层通过柱状凹槽(trench)的方式进行布局,形成柱状的绝缘结构。
终端耐压性能主要依赖于柱面结的设计和制造。
优势:
提供更高的终端耐压性能。
适用于高电压应用。
劣势:
制造工艺较为复杂,相对成本较高。
制程要求严格,可能不适合大规模生产。
3. 终端耐压差异:
平面结的终端耐压相对较低,适用于低电压应用和成本敏感型产品。
柱面结提供更高的终端耐压,适用于高电压和高性能应用,但可能伴随较高的制造成本。
在选择合适的IGBT时,设计者需要综合考虑电路的工作电压、功率要求以及成本等因素。对于高电压和高性能应用,通常会选择柱面结的IGBT,而对于低电压和成本敏感型应用,平面结的IGBT可能更为合适。