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辰达半导体(MDD)TVS二极管 SMBJ45A 45V SMB(DO-214AA) 单向参数资料

 

2024-08-30 09:17:35

晨欣小编

辰达半导体(MDD)TVS二极管 SMBJ45A 45V SMB(DO-214AA) 单向参数资料

一、概述

SMBJ45A 是一款由辰达半导体(MDD)生产的45V 单向瞬态电压抑制器 (TVS) 二极管,采用SMB(DO-214AA)封装。它被设计用于保护敏感电子设备免受瞬态电压的影响,例如静电放电 (ESD) 和电磁干扰 (EMI) 等。SMBJ45A 具备响应速度快、钳位电压低、能量吸收能力强等优点,能够有效地抑制瞬态电压,保护电路安全。

二、主要参数

| 参数 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

|-----------------------|--------|--------|------|

| 击穿电压 (Vbr) | 45V | 48V | V |

| 钳位电压 (Vc) | 50V | 55V | V |

| 最大反向电流 (Ir) | 10nA | 100nA | A |

| 最大正向电流 (If) | 1A | 1.5A | A |

| 脉冲电流 (Ip) | 100A | 200A | A |

| 脉冲持续时间 (tp) | 10ns | 100ns | ns |

| 最大功率耗散 (Pd) | 0.5W | 1W | W |

| 工作温度范围 (T) | -55℃ | 150℃ | ℃ |

| 封装尺寸 | SMB(DO-214AA) | | |

三、工作原理

TVS 二极管是一种特殊类型的二极管,其工作原理基于PN结的雪崩效应。当二极管承受的电压超过其击穿电压时,PN结内部的电子和空穴会加速运动,发生碰撞并产生新的电子和空穴,形成雪崩效应。这种效应会造成电流急剧增加,将瞬态电压钳位在一定的范围内,从而保护电路。

四、优势

* 响应速度快: TVS 二极管具有极快的响应速度,通常在纳秒级,能够及时地抑制瞬态电压,防止其对电路造成损坏。

* 钳位电压低: 与其它类型的瞬态电压抑制器相比,TVS 二极管的钳位电压较低,能够有效地降低瞬态电压对电路的影响。

* 能量吸收能力强: TVS 二极管可以吸收大量的瞬态能量,保护电路免受高能脉冲的冲击。

* 可靠性高: TVS 二极管采用成熟的工艺制造,具有较高的可靠性,能够长时间稳定工作。

* 封装形式多样: TVS 二极管有多种封装形式可供选择,能够满足不同应用场景的需求。

五、应用范围

SMBJ45A 广泛应用于各种电子设备中,例如:

* 电源系统: 电源系统经常会受到瞬态电压的影响,例如雷击、电网波动等。TVS 二极管可以保护电源系统免受这些影响,确保设备的正常工作。

* 通信设备: 通信设备,例如手机、路由器、基站等,也容易受到瞬态电压的干扰。TVS 二极管可以保护通信设备的敏感电路,提高设备的稳定性。

* 工业控制: 工业控制系统中,TVS 二极管可以保护各种控制元件,例如电机、传感器、PLC 等,防止瞬态电压损坏设备。

* 汽车电子: 汽车电子设备,例如发动机控制系统、安全气囊系统等,对瞬态电压的容忍度非常低。TVS 二极管可以有效地保护这些设备,确保其安全可靠运行。

六、注意事项

* 安装方向: SMBJ45A 是一种单向 TVS 二极管,安装时要注意方向,避免反向连接。

* 散热: SMBJ45A 在吸收瞬态能量时会产生热量,需要采取适当的散热措施,防止温度过高导致器件损坏。

* 选型: 选择 TVS 二极管时,需要根据具体的应用场景选择合适的击穿电压、钳位电压、能量吸收能力等参数。

七、结论

SMBJ45A 是辰达半导体(MDD)生产的一款性能优异的单向 TVS 二极管,具有响应速度快、钳位电压低、能量吸收能力强等优势,能够有效地保护敏感电子设备免受瞬态电压的影响。它广泛应用于各种电子设备中,是保护电路安全的重要元件。

八、关键词

TVS 二极管, 瞬态电压抑制器, SMBJ45A, 辰达半导体, ESD, EMI, 击穿电压, 钳位电压, 响应速度, 能量吸收, 应用范围, 安装方向, 散热, 选型

 

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