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如何选择辰达半导体的MOSFET型号？实用选型技巧大全

2025-07-14 10:31:35

晨欣小编

一、MOSFET选型的基本逻辑

在选型时，需综合以下六大关键参数：

参数

含义

对应影响


V<sub>DS</sub>	漏源极最大耐压	决定应用系统的工作电压范围
I<sub>D</sub>	最大漏极电流	反映负载电流能力
R<sub>DS(on)</sub>	导通电阻	影响通态损耗和发热量
Q<sub>G</sub>	栅极电荷	影响开关速度和驱动功耗
封装形式	外形与引脚规格	影响散热能力、装配方式
驱动电压V<sub>GS</sub>	栅极驱动需求	决定是否兼容5V/10V/12V等平台

二、明确应用场景，决定MOS类型

MOSFET主要分为N沟道与P沟道两类，MDD目前主打为N沟道器件。常见应用场景如下：

应用场景

推荐MOS特性


快充适配器	低Q<sub>G</sub>、低R<sub>DS(on)</sub>、DFN封装
电池保护板	中压、低漏电流、封装小巧（SOT-23）
工业电源	高压耐压（600V+）、TO封装、抗浪涌能力强
BMS系统	快速响应、温度稳定、兼容车规
马达驱动	大电流、高效率、散热良好

三、选型步骤详解（以MDD为例）

第一步：确定电压等级（V<sub>DS</sub>）

通常MOSFET的耐压需要**≥ 实际工作电压 × 1.2~1.5倍裕量系数**。

场景

推荐耐压范围


5V~12V快充系统	20V~40V
24V电机控制	40V~60V
通用DC电源	60V~100V
工业/车载高压系统	400V~650V

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